脈沖電子束沉積（PED）的特點
與CW技術(shù)相比，例如傳統(tǒng)的電子束蒸發(fā)，脈沖系統(tǒng)的主要特點是可以在靶材表面上
產(chǎn)生最高達108W/cm2的高能量密度。因此，靶材的熱動力學特性比如熔點和比熱等
在蒸發(fā)過程中就變得不重要了。這一點對復雜的、多組分材料特別具有優(yōu)勢。與脈
沖激光沉積（PLD）相比，脈沖電子束沉積（PED）技術(shù)提供了獨一無二的平臺，在
一系列具有重要技術(shù)價值的基片上沉積復雜材料的薄膜，其獨特的優(yōu)點在于擴展了
材料的范圍和應(yīng)用。這種方法在大批量生產(chǎn)中可以大規(guī)模應(yīng)用且成本低廉
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一、 PED-120系統(tǒng)的技術(shù)指標
l PEBS-20脈沖電子源和電源
l 真空腔：直徑12"
Ø 額定基壓：<1x10-6 Torr
l 基片加熱器，直徑2"，帶控溫器
Ø 氧氣可達大氣壓力
Ø 最高溫度：950 °C
Ø 溫度均勻性：±5 °C
Ø 溫度穩(wěn)定性：±1 °C
Ø 基片加熱器檔板
l 靶盒，手動控制
Ø 可放置6個1"的靶或3個2"的靶
Ø 靶與法蘭的距離：4"
l 氣路
Ø 質(zhì)量流量計控制進入真空腔的流量，量程100sccm
Ø 控制采用單通道設(shè)置/數(shù)值顯示
l 真空泵系統(tǒng)
Ø 260 l/s 帶冷阱的渦輪分子泵，高真空泵
Ø 4 m3/hr無油機械泵
Ø 8"閘板閥，手動控制
Ø 排氣/出氣閥，用于氧氣的安全操作
l 真空計，顯示讀數(shù)
Ø 冷陰極型
Ø 對流型
l 系統(tǒng)框架
Ø 占地面積：22”W x 34”D
Ø 空間： 30”W x 34”D
Ø 總高度： 54"-58"
Ø 標準19"電子元件安裝架
Ø 腳輪和水平調(diào)節(jié)器
l 電源
Ø 110-240 VAC/50 Hz, 20 A，單相
二、PEBS-20脈沖電子源系統(tǒng)的技術(shù)指標
組成：
l PEBS-20脈沖電子源
l 電源
l 電子控制系統(tǒng)
l 預裝軟件的控制計算機
技術(shù)指標：
電壓：115-230 VAC, 50/60 Hz, 單相
氧氣壓力：5-20 mTorr
電子能量：8-20 kV
單次脈沖能量：0.1 – 0.8 J
脈沖能量偏差（Max）：±10%
能量轉(zhuǎn)換效率：25-30%
脈沖持續(xù)時間：~100 ns
脈沖重復速率（Max）：15 Hz
電子束斑面積（Min）：6 x 10-2 cm2
電子束斑面積偏差（Max）：±20%
脈沖能量密度（Max）：1.3 x 108 W/ cm2
Z軸移動距離：50 mm
XY軸移動距離：±20 mm
工作壽命：107 次脈沖
PEBS源的工作溫度（Max）：85 °C
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